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具有p-n结的ZnO纳米复合结构光催化薄膜的制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200610002052.8
  • IPC分类号:C23C14/08;C23C14/22;B01J23/06;C02F1/30;B01D53/34
  • 申请日期:
    2006-01-24
  • 申请人:
    北京工业大学
著录项信息
专利名称具有p-n结的ZnO纳米复合结构光催化薄膜的制备方法
申请号CN200610002052.8申请日期2006-01-24
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2006-09-06公开/公告号CN1827837
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C14/08IPC分类号C;2;3;C;1;4;/;0;8;;;C;2;3;C;1;4;/;2;2;;;B;0;1;J;2;3;/;0;6;;;C;0;2;F;1;/;3;0;;;B;0;1;D;5;3;/;3;4查看分类表>
申请人北京工业大学申请人地址
北京市朝阳区平乐园100号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北京工业大学当前权利人北京工业大学
发明人王波;李颖;宋雪梅;严辉;朱满康;汪浩;王如志;候育冬;张铭
代理机构北京思海天达知识产权代理有限公司代理人张慧
摘要
本发明属材料的表面物理化学领域,涉及一种具有光催化性能的ZnO纳米复合结构薄膜材料的制备方法。现有简单的纳米结构薄膜材料光催化效率低、对尺度要求较苛刻。本发明其特征在于,包括以下步骤:用热气相沉积方法的常规工艺在基底上沉积一层ZnO薄膜,所通氧气流量500~3000sccm,并控制ZnO结晶在100纳米~2微米的尺度范围;向沉积室中充入含氮气体,控制含氮气体流量在50~500sccm范围,基底温度在750℃~1000℃的范围,生长时间控制在2~30分钟。本发明制备的具有p-n结的ZnO纳米复合结构光催化薄膜进行了测试,紫外光照射60分钟的光催化效率在78%以上。该纳米结构薄膜适用于对废水和废气中的有害物质的光催化处理。

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