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一种掩膜阻挡背面扩散的太阳能电池制作工艺

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201010228707.X
  • IPC分类号:H01L31/18
  • 申请日期:
    2010-07-16
  • 申请人:
    山东力诺太阳能电力股份有限公司
著录项信息
专利名称一种掩膜阻挡背面扩散的太阳能电池制作工艺
申请号CN201010228707.X申请日期2010-07-16
法律状态驳回申报国家暂无
公开/公告日2010-11-24公开/公告号CN101894888A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/18IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人山东力诺太阳能电力股份有限公司申请人地址
山东省济南市经十东路30766号力诺科技园力诺太阳能电力股份有限公司 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人山东力诺太阳能电力股份有限公司当前权利人山东力诺太阳能电力股份有限公司
发明人姜言森;刘鹏;李玉花;杨青天;焦云峰;任现坤;孙晨曦
代理机构济南舜源专利事务所有限公司代理人宋玉霞
摘要
本发明属于太阳能电池片制作工艺领域,尤其涉及一种掩膜阻挡背面扩散的太阳能电池制作工艺,是在硅片进行扩散前,在硅片背面制备二氧化硅或氮化硅掩膜,扩散前背面掩膜使得硅片在扩散过程中背面不形成PN结,可直接杜绝硅片上下电极短路的问题,可取消扩撒后边缘及背面刻蚀工序,因此避免了因为边缘刻蚀造成电池片损坏及效率下降等损失,并且背面掩膜时可以对硅片背面起到钝化作用,能有效提高太阳能电池片的光电效率,适用于工业化生产。

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