一种防止分离栅闪存中堆叠栅极线倒塌的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201010272737.0
IPC分类号：H01L21/8247;H01L21/28;H01L21/265
申请日期：
2010-08-27
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

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著录项信息

专利名称	一种防止分离栅闪存中堆叠栅极线倒塌的方法
申请号	CN201010272737.0	申请日期	2010-08-27
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-03-21	公开/公告号	CN102386141A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/8247	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;8;2;4;7;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;2;6;5查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
发明人	周儒领;张庆勇
代理机构	北京德琦知识产权代理有限公司	代理人	牛峥;王丽琴

摘要

一种防止分离栅闪存中堆叠栅极线倒塌的方法，提供一半导体衬底，依次沉积浮栅氧化层、浮栅材料层、介质层及控制栅材料层；刻蚀控制栅材料层和介质层，形成两个控制栅；为两个控制栅形成侧壁层，以两个控制栅和所形成的侧壁层为掩膜，刻蚀形成两个浮栅；沉积光阻胶层，图案化光阻胶层，裸露出两个控制栅之间的浮栅氧化层，进行离子注入，形成堆叠栅极线，去除侧壁层；在堆叠栅极线及图案化光阻胶层上沉积遮盖层，覆盖住浮栅和控制栅，采用干法离子注入方式去除图案化的光阻胶层上的遮盖层及光阻胶层表面层；灰化去除剩余的光阻胶层和堆叠栅极线表面的遮盖层后，在堆叠栅极线上形成擦除栅。本发明在不降低分离栅闪存良率的情况下防止堆叠栅极线的倒塌。

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