加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

支撑台、改善晶圆或外延生长晶圆表面的顶针痕迹的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201710439022.1
  • IPC分类号:H01L21/687;C30B25/12
  • 申请日期:
    2017-06-12
  • 申请人:
    上海新昇半导体科技有限公司
著录项信息
专利名称支撑台、改善晶圆或外延生长晶圆表面的顶针痕迹的方法
申请号CN201710439022.1申请日期2017-06-12
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2018-12-18公开/公告号CN109037136A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/687IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;6;8;7;;;C;3;0;B;2;5;/;1;2查看分类表>
申请人上海新昇半导体科技有限公司申请人地址
上海市浦东新区泥城镇云水路1000号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海新昇半导体科技有限公司当前权利人上海新昇半导体科技有限公司
发明人王燕;王华杰;保罗·邦凡蒂
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人余昌昊
摘要
本发明提供一种支撑台、改善晶圆或外延生长晶圆表面的顶针痕迹的方法,所述支撑台包括基座、顶针和涂层,所述基座设有多个开孔,所述顶针的数量与所述开孔的数量相同,所述顶针对应设置在所述开孔中用于支撑晶圆,所述涂层涂覆于所述开孔中。本发明提供的支撑台、改善晶圆或外延生长晶圆表面的顶针痕迹的方法,所述支撑台包括基座和顶针,由所述基座的开孔中的顶针来支撑晶圆,由于所述开孔中具有涂层,可减少顶针与开孔之间的间隙,改善由于工艺气体经由开孔形成的顶针痕迹,使得晶圆表面的顶针痕迹的高度减小,从而可降低顶针痕迹对产品质量的影响。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供