基于电光晶体调谐腔长的种子注入单频脉冲激光器

发明专利有效专利

申请号：
CN201310468687.7
IPC分类号：H01S3/105
申请日期：
2013-10-10
申请人：
中国科学院上海光学精密机械研究所

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专利名称	基于电光晶体调谐腔长的种子注入单频脉冲激光器
申请号	CN201310468687.7	申请日期	2013-10-10
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-05-07	公开/公告号	CN103779776A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S3/105 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S3/00 激光器，即利用受激发射对红外光、可见光或紫外线进行产生、放大、调制、解调或变频的器件（半导体激光器入H01S 5/00） H01S3/10 控制辐射的强度、频率、相位、极化或方向，例如开关、选通、调制或解调（模式锁定入H01S 3/098）〔2〕 H01S3/105 由控制腔的反射器的相互位置或反射性能（H01S 3/13优先）〔4〕	IPC分类号	H;0;1;S;3;/;1;0;5查看分类表>
申请人	中国科学院上海光学精密机械研究所	申请人地址	上海市嘉定区800－211邮政信箱变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院上海光学精密机械研究所	当前权利人	中国科学院上海光学精密机械研究所
发明人	朱小磊;张俊旋;臧华国
代理机构	上海新天专利代理有限公司	代理人	张泽纯

摘要

一种基于电光晶体调谐腔长的种子注入单频脉冲激光器。利用电光晶体的电光效应，通过调整从动腔中电光晶体的方向，使得外加电场不改变种子光的偏振状态，仅仅改变其相位。在每个泵浦周期，电光晶体驱动电源给电光晶体施加一线性斜坡电压，电光晶体的折射率随之线性变化，进而改变光学腔长。光电二极管检测到种子光经过从动腔形成的干涉信号的峰值后，打开调Q开关，随即输出单频脉冲激光。该激光器具有工作重频高，频率稳定性高，抗干扰能力强，寿命长，结构紧凑的特点，不仅能适应一般的工作环境要求，还能适应机载和星载要求。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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