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半导体制造装置及半导体制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200610105554.3
  • IPC分类号:H01L21/288H01L21/3205H01L21/31H01L21/768H01L21/66H01L21/00H01L23/48H01L23/525H01L23/60B41J2/135B41J2/04
  • 申请日期:
    2006-07-18
  • 申请人:
    三菱电机株式会社
著录项信息
专利名称半导体制造装置及半导体制造方法
申请号CN200610105554.3申请日期2006-07-18
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2007-02-28公开/公告号CN1921071
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/288IPC分类号H01L21/288;H01L21/3205;H01L21/31;H01L21/768;H01L21/66;H01L21/00;H01L23/48;H01L23/525;H01L23/60;B41J2/135;B41J2/04查看分类表>
申请人三菱电机株式会社申请人地址
日本*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三菱电机株式会社当前权利人三菱电机株式会社
发明人清水和宏;秋山肇;保田直纪
代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人浦柏明;刘宗杰
摘要
半导体制造装置中的描绘图案印刷部具有分别射出导电性溶剂、绝缘性溶剂和界面处理液的印刷头,印刷头根据来自晶片测试部的描绘图案的信息、来自存储部的与该晶片有关的信息和来自芯片坐标识别部的坐标信息,可以对该晶片印刷所要的电路描绘图案,半导体制造方法使用半导体制造装置,并利用印刷处理形成所要的电路,制造出半导体装置,在半导体装置上形成焊盘电极等,以便可以利用电路描绘图案的印刷对该半导体装置进行修整处理。

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