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半导体器件及其形成方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110177764.8
  • IPC分类号:H01L27/146
  • 申请日期:
    2021-02-09
  • 申请人:
    台湾积体电路制造股份有限公司
著录项信息
专利名称半导体器件及其形成方法
申请号CN202110177764.8申请日期2021-02-09
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2021-11-30公开/公告号CN113725240A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/146IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;4;6查看分类表>
申请人台湾积体电路制造股份有限公司申请人地址
中国台湾新竹 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人台湾积体电路制造股份有限公司当前权利人台湾积体电路制造股份有限公司
发明人林昆辉;郑允玮;周俊豪;李国政;王钲源
代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司代理人章社杲;李伟
摘要
本发明的实施例提供了一种形成半导体器件的方法,包括:在半导体衬底中形成图像传感器;从半导体衬底的背侧减薄半导体衬底;在半导体衬底的背侧上形成介电层;以及在半导体衬底的背侧上形成聚合物栅格。该聚合物栅格具有第一折射率值。该方法还包括在聚合物栅格中形成滤色器,其中,滤色器具有高于第一折射率值的第二折射率值;以及在滤色器上形成微透镜。本发明的实施例还提供了一种半导体器件。

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