一种用于硅晶片精抛光的抛光组合物

发明专利无效专利

申请号：
CN201110002318.X
IPC分类号：C09G1/02
申请日期：
2011-01-06
申请人：
清华大学;深圳清华大学研究院;深圳市力合材料有限公司

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专利名称	一种用于硅晶片精抛光的抛光组合物
申请号	CN201110002318.X	申请日期	2011-01-06
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	2011-06-15	公开/公告号	CN102093819A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C09G1/02 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C09 染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用 C09G 虫胶清漆除外的抛光组合物；滑雪屐蜡 C09G1/00 抛光组合物（虫胶清漆入C09F 11/00；洗涤剂入C11D） C09G1/02 含有磨料或研磨剂	IPC分类号	C;0;9;G;1;/;0;2查看分类表>
申请人	清华大学;深圳清华大学研究院;深圳市力合材料有限公司	申请人地址	北京市海淀区-82信箱变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	清华大学,深圳清华大学研究院,深圳市力合材料有限公司	当前权利人	清华大学,深圳清华大学研究院,深圳市力合材料有限公司
发明人	潘国顺;顾忠华;邹春莉;李拓;雒建斌;路新春;刘岩
代理机构	北京众合诚成知识产权代理有限公司	代理人	童晓琳

摘要

本发明公开了化学机械抛光(CMP)领域的一种用于硅晶片精抛光的抛光组合物。该抛光组合物中二氧化硅颗粒粒径为1～500nm，含量为0.05～20wt％；表面活性剂含量为0.001～1wt％；碱性化合物含量为0.001～10wt％；半乳甘露聚糖含量为0.001～5wt％；半乳甘露聚糖协同增效剂含量为0.001～1wt％；其余为水，pH值为8～12。半乳甘露聚糖及半乳甘露聚糖协同增效剂能有效的抑制磨粒在硅晶片表面的硬性损伤，减少金属离子在硅晶片表面的沉积。本发明的抛光组合物特别适合于硅晶片的精抛光，其优势在于抛光速率快，表面缺陷少，抛光后的硅晶片金属离子污染物少且易于清洗。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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