一种改变电子束提纯多晶硅凝固坩埚铺底方式的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201710028802.7
IPC分类号：C30B29/06;C30B28/04
申请日期：
2017-01-16
申请人：
大工（青岛）新能源材料技术研究院有限公司

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专利名称	一种改变电子束提纯多晶硅凝固坩埚铺底方式的方法
申请号	CN201710028802.7	申请日期	2017-01-16
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2017-06-27	公开/公告号	CN106894084A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/06 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/02 元素〔3〕 C30B29/06 硅〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;0;6;;;C;3;0;B;2;8;/;0;4查看分类表>
申请人	大工（青岛）新能源材料技术研究院有限公司	申请人地址	山东省青岛市蓝色硅谷核心区创业中心变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	大工（青岛）新能源材料技术研究院有限公司	当前权利人	大工（青岛）新能源材料技术研究院有限公司
发明人	孟剑雄;王峰;姚玉杰;李鹏廷
代理机构	大连理工大学专利中心	代理人	梅洪玉

摘要

一种改变电子束提纯多晶硅凝固坩埚铺底方式的方法，属于电子束熔炼领域。包括将3kg厚度7‑10mm多晶硅片平铺凝固坩埚底部，在多晶硅片上铺5kg多晶硅碎片；预热电子枪；逐渐增加照射熔炼坩埚的电子枪功率到250kW，照射凝固坩埚的电子枪功率到50kW，熔化硅料；照射凝固坩埚的电子枪功率增加到200kw，熔炼硅料；关闭照射熔炼坩埚的电子枪，硅液倾倒后，将照射凝固坩埚的电子枪功率增加到250kW；将照射熔炼坩埚的电子枪功率增加到250kw，硅料熔化与熔炼；关闭照射熔炼坩埚的电子枪，硅液倾倒后开启的电子枪按250kW维持10min，200kW维持2min，150kW维持3min，120kW维持5min，100kW维持7min，80kW维持8min，50kW维持12min，30kW维持16min，20kW维持20min，0kW降束凝固。本发明可提高产品出成率，降低电子束提纯多晶硅能耗。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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