基于氮化铜薄膜的一次写入型多层波导光存储器及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201210481128.5
IPC分类号：G11C13/04
申请日期：
2012-11-23
申请人：
南京邮电大学

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	基于氮化铜薄膜的一次写入型多层波导光存储器及其制造方法
申请号	CN201210481128.5	申请日期	2012-11-23
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2013-04-10	公开/公告号	CN103035287A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C13/04 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C13/00 特征在于使用不包括在G11C 11/00，G11C 23/00或G11C 25/00各组内的存储元件的数字存储器 G11C13/04 使用光学元件的数字存储器	IPC分类号	G;1;1;C;1;3;/;0;4查看分类表>
申请人	南京邮电大学	申请人地址	江苏省南京市新模范马路66号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南京邮电大学	当前权利人	南京邮电大学
发明人	李兴鳌;赵晋阳;李晓峰;陈晃毓;杨涛;潘聪;王志姣;孙俊冬
代理机构	南京经纬专利商标代理有限公司	代理人	叶连生

摘要

本发明是一种基于氮化铜薄膜的一次写入型多层波导光存储器的制造方法，具体制备方法为：a.选择稳定性强的透明材料为基底，利用磁控溅射的方法制备出氮化铜薄膜；b.在完成上一步后，将镀有氮化铜薄膜的基底加工成所需的尺寸和形状，基底作为芯层，氮化铜薄膜作为记录层并将数据记录在氮化铜薄膜上，得到光存储器的单层波导；c.重复上述操作，制作光存储器所需的若干单层波导，并将所需记录的数据记录在相应的记录层中；d.上述加工完成后，把这些单层依次重叠并将边缘粘合起来，各个单层之间自然形成的空气层作为光存储器的包层，得到基于氮化铜薄膜的一次写入型多层波导光存储器。该光存储器无毒对人体和环境友好，制作成本低，结构简单，制造过程简单，对设备要求不高，易于大规模制造。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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