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AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的结温测试方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201711024322.X
  • IPC分类号:H01L21/66
  • 申请日期:
    2017-10-27
  • 申请人:
    西安电子科技大学
著录项信息
专利名称AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的结温测试方法
申请号CN201711024322.X申请日期2017-10-27
法律状态授权申报国家暂无
公开/公告日2018-03-23公开/公告号CN107833840A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/66IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;6;6查看分类表>
申请人西安电子科技大学申请人地址
陕西省西安市雁塔区太白南路2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西安电子科技大学当前权利人西安电子科技大学
发明人马晓华;武玫;闵丹;杨凌;郝跃
代理机构陕西电子工业专利中心代理人暂无
摘要
本发明公开了一种AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的结温测试方法,主要解决现有方法测量结温偏低的问题,其实现方案是采用脉冲测试方法对器件的肖特基正向特性进行测试,提取栅源电阻RS0与肖特基串联电阻RT0随温度的变化关系,结合上述两者得到肖特基接触电阻RB0随温度变化关系作为校准曲线;其次,在室温条件下选取偏置点,采用脉冲测试法测试器件的肖特基正向特性,并提取肖特基串联电阻RT,测量被测器件的输出特性提取栅源电阻RS,得到肖特基接触电阻RB在不同功率下的变化关系,通过对比校准曲线,提取出器件结温。本发明提高了结温测试的准确度,减小了测量误差,可用于高电子迁移率晶体管器件的测量与分析。

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