高电子迁移率晶体管PHEMT热阻测试方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201610015695.X
IPC分类号：G01R31/26;G01N25/20
申请日期：
2016-01-11
申请人：
中国电子科技集团公司第十研究所

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专利名称	高电子迁移率晶体管PHEMT热阻测试方法
申请号	CN201610015695.X	申请日期	2016-01-11
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2016-04-20	公开/公告号	CN105510794A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01R31/26 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01R 测量电变量；测量磁变量（指示谐振电路的正确调谐入H03J 3/12） G01R31/00 电性能的测试装置；电故障的探测装置；以所进行的测试在其他位置未提供为特征的电测试装置（在制造过程中测试或测量半导体或固体器件入H01L 21/66；线路传输系统的测试入H04B 3/46） G01R31/26 单个半导体器件的测试（在制造或处理过程中的测试或测量入H01L 21/66；光伏器件的测试入H02S 50/10）〔2，2014.01〕	IPC分类号	G;0;1;R;3;1;/;2;6;;;G;0;1;N;2;5;/;2;0查看分类表>
申请人	中国电子科技集团公司第十研究所	申请人地址	四川省成都市金牛区茶店子东街48号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国电子科技集团公司第十研究所	当前权利人	中国电子科技集团公司第十研究所
发明人	胡家渝
代理机构	成飞（集团）公司专利中心	代理人	郭纯武

摘要

本发明公开的一种高电子迁移率晶体管PHEMT热阻的测试方法，利用本发明测温准确，不易造成PHEMT损坏和测试误差，本发明通过下述技术方案予以实现：由半导体热阻测试仪器T3ster提供电流源在PHEMT晶体管的漏极源极间加载电流，通过管子的内阻对PHEMT晶体管的沟道加热，然后由T3ster外围控制电路瞬间的电路切换，加热瞬间停止，在该过程中T3ster电压输出端Ucb使快恢复二极管正偏，Ucb在连接分压电阻R1的分压作用下，待测PHEMT晶体管栅极G和源极S间产生夹断电压，PHEMT栅极G和源极S之间反偏，电路切换后，栅极G和源极S之间正偏，其压降反映其温度。T3ster测出的温度变化值在计算机中利用T3ster的数据处理软件Master获得热阻。

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