加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

半导体器件的制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201080039723.2
  • IPC分类号:H01L29/786;H01L21/336
  • 申请日期:
    2010-08-20
  • 申请人:
    株式会社半导体能源研究所
著录项信息
专利名称半导体器件的制造方法
申请号CN201080039723.2申请日期2010-08-20
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2012-05-30公开/公告号CN102484140A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/786
?
IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人株式会社半导体能源研究所申请人地址
日本神奈川县 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人株式会社半导体能源研究所当前权利人株式会社半导体能源研究所
发明人津吹将志;吉富修平;辻隆博;细羽幸;坂田淳一郎;户松浩之;早川昌彦
代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人柯广华;朱海煜
摘要
一个目的是提供包括氧化物半导体膜的薄膜晶体管的结构的制造方法,其中以其形成沟道的阈值电压为正并且尽可能接近0V。形成保护绝缘层以覆盖包括通过第一热处理来脱水或脱氢的氧化物半导体层的薄膜晶体管,并且执行在比第一热处理低的温度下的第二热处理,第二热处理中温度的上升和下降重复多次,由此能够制造包括氧化物半导体层的薄膜晶体管,其中以其形成沟道的阈值电压为正并且尽可能接近0V,而无需取决于沟道长度。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供