等离子体生成装置

发明专利有效专利

申请号：
CN200580009515.7
IPC分类号：G01N21/71
申请日期：
2005-03-25
申请人：
国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学

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著录项信息

专利名称	等离子体生成装置
申请号	CN200580009515.7	申请日期	2005-03-25
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2007-04-04	公开/公告号	CN1942755
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N21/71 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N21/00 利用光学手段，即利用红外光、可见光；或紫外光来测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 19/00优先） G01N21/62 所测试的材料在其中被激发，因之引起材料发光或入射光的波长发生变化的系统〔3〕 G01N21/71 热激发的〔3〕	IPC分类号	G;0;1;N;2;1;/;7;1查看分类表>
申请人	国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学	申请人地址	日本石川县能美市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	微发股份有限公司	当前权利人	微发股份有限公司
发明人	高村禅;饭塚亚纪子;民谷荣一
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	浦柏明;刘宗杰

摘要

在以绝缘性材料形成的流道上设置剖面面积比该流道的剖面面积小得多的狭小部，在向该流道和狭小部中注满导电性液体之后，向该狭小部施加电场以使电场通过上述狭小部，在上述狭小部生成等离子体的等离子体生成方法和元素分析方法。在以绝缘性材料形成的流道上设置剖面面积比该流道的剖面面积小得多的狭小部，并设置用来向上述狭小部施加电场以使电场通过该狭小部的单元的等离子体生成装置和具有上述等离子体生成装置的发光光谱分析装置。

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