一种先晶粒切割后双面电镀的晶粒生产方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010229694.1
IPC分类号：C25D5/00;H01L21/304
申请日期：
2020-03-27
申请人：
绍兴同芯成集成电路有限公司

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专利名称	一种先晶粒切割后双面电镀的晶粒生产方法
申请号	CN202010229694.1	申请日期	2020-03-27
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2020-07-24	公开/公告号	CN111441072A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C25D5/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C25 电解或电泳工艺；其所用设备〔4〕 C25D 覆层的电解或电泳生产工艺方法；电铸（印刷电路的金属沉积法制造入H05K 3/18）；工件的电解法接合；所用的装置（阳极或阴极保护入 C23F13/00；单晶生长入C30B）〔2，6〕 C25D5/00 以工艺方法为特征的电镀；工件的预处理或后处理〔2〕	IPC分类号	C;2;5;D;5;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;3;0;4查看分类表>
申请人	绍兴同芯成集成电路有限公司	申请人地址	浙江省绍兴市越城区银桥路326号(原永和酒业)1幢1楼113室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	绍兴同芯成集成电路有限公司	当前权利人	绍兴同芯成集成电路有限公司
发明人	严立巍;李景贤;陈政勋
代理机构	北京同辉知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	王依

摘要

本发明公开一种先晶粒切割后双面电镀的晶粒生产方法,晶粒生产方法包括以下步骤：S1：晶圆键合，晶圆的正面完成金属垫工艺后，在晶圆上形成金属层，将晶圆的正面通过粘合剂键合在环形玻璃载板上；S2：减薄、S3：中间工艺、S4：背面切割、S5：蚀刻工艺、S6：粘合剂去除，采用氧气电浆蚀刻晶粒上的粘合剂，在粘合剂上形成凹槽使金属层露出；S7：电镀，对晶粒的双面进行电镀；S8：解键合，通过解键合将晶粒从玻璃载板上脱离。本发明双面电镀的晶粒生产方法通过中空的玻璃载板对晶粒双面电镀一次完成，取代传统的双面分布电镀的方式，提高了晶圆的生产效率，有利于降低晶圆的生产成本。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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