磷化硼系半导体发光元件、其制造方法和发光二极管

发明专利无效专利

申请号：
CN200380103515.4
IPC分类号：H01L33/00;H01L21/205;C23C16/30
申请日期：
2003-11-17
申请人：
昭和电工株式会社

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著录项信息

专利名称	磷化硼系半导体发光元件、其制造方法和发光二极管
申请号	CN200380103515.4	申请日期	2003-11-17
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2005-12-21	公开/公告号	CN1711650
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;2;0;5;;;C;2;3;C;1;6;/;3;0查看分类表>
申请人	昭和电工株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	昭和电工株式会社	当前权利人	昭和电工株式会社
发明人	宇田川隆;笠原明
代理机构	北京市中咨律师事务所	代理人	段承恩;田欣

摘要

本发明提供一种磷化硼系半导体发光元件，其具备异种接合结构的发光部，该发光部是在导电性或者高电阻的单晶体基板的表面上依次具备由n型化合物半导体构成的n型下部包层、由n型的Ⅲ族氮化物半导体构成的n型发光层、以及由设置在该发光层上的p型的磷化硼系半导体构成的p型上部包层而构成，且该磷化硼系半导体发光元件形成有与该p型上部包层接触的p型电极而构成，其特征在于，由磷化硼系半导体构成的非晶态层设置在p型上部包层和n型发光层中间。该磷化硼系半导体发光元件，正向电压或者阀值低，逆向电压优良。

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