加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

一种Ca+Sb共掺杂TiO<sub>2</sub>巨介电陶瓷、制备方法及其应用

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202210666883.4
  • IPC分类号:C04B35/46;C04B35/622
  • 申请日期:
    2022-06-13
  • 申请人:
    安徽工程大学;安徽工业大学;中机智能装备创新研究院(宁波)有限公司
著录项信息
专利名称一种Ca+Sb共掺杂TiO<sub>2</sub>巨介电陶瓷、制备方法及其应用
申请号CN202210666883.4申请日期2022-06-13
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2022-09-20公开/公告号CN115073164A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/46IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;4;6;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;2查看分类表>
申请人安徽工程大学;安徽工业大学;中机智能装备创新研究院(宁波)有限公司申请人地址
安徽省芜湖市北京中路 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人安徽工程大学,安徽工业大学,中机智能装备创新研究院(宁波)有限公司当前权利人安徽工程大学,安徽工业大学,中机智能装备创新研究院(宁波)有限公司
发明人徐东;王震涛;李家茂;刘娟;程亚芳;郝庆乐;李宇佳;赵丹
代理机构合肥昊晟德专利代理事务所(普通合伙)代理人王林
摘要
本发明涉及陶瓷制备技术领域,具体涉及一种Ca+Sb共掺杂TiO2巨介电陶瓷、制备方法及其应用,采用传统的固相反应法制备了(Ca,Sb)共掺杂TiO2陶瓷(CSTO),分析了化学元素的晶体结构、微观结构、介电性能、压敏性能和价态,揭示了巨介电材料的形成机理,结果表明,掺杂量对CSTO陶瓷的微观结构和性能有显著影响,Ca和Sb的掺入显著改善了材料的介电性能,当掺杂量为0.04时,介质损耗很低,在室温下,频率范围为20Hz‑10MHz时,(Ca,Sb)共掺TiO2陶瓷的介电常数大于104,介电损耗小于0.5,而在1kHz时,介电损耗低至0.1,解决了如何开发具有高介电常数、低介电损耗、稳定温度和频率的介电材料的问题。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供