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一种N型硅太阳能电池

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201120251151.6
IPC分类号：H01L31/0352;H01L31/0216;H01L31/04
申请日期：
2011-07-15
申请人：
苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（中国）投资有限公司

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种N型硅太阳能电池
申请号	CN201120251151.6	申请日期	2011-07-15
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/0352 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00）〔2，6，8〕 H01L31/0248 以其半导体本体为特征的〔5〕 H01L31/0352 以其形状或以多个半导体区域的形状、相关尺寸或配置为特征的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;3;5;2;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;1;6;;;H;0;1;L;3;1;/;0;4查看分类表>
申请人	苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（中国）投资有限公司	申请人地址	江苏省苏州市高新区鹿山路199号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	苏州阿特斯阳光电力科技有限公司,阿特斯阳光电力集团有限公司	当前权利人	苏州阿特斯阳光电力科技有限公司,阿特斯阳光电力集团有限公司
发明人	杨智;王栩生;章灵军
代理机构	苏州创元专利商标事务所有限公司	代理人	陶海锋;陆金星

摘要

本实用新型公开了一种N型硅太阳能电池，包括N型硅片基底，硅片基底的正面设有包含多孔硅绒面结构的P型发射结层。本实用新型的N型硅太阳能电池的平均光电转换效率在20%以上，具有显著的效果。

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