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PIN光电二极管、X射线探测像元、装置及其探测方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201610162640.1
  • IPC分类号:H01L31/0352;H01L31/115
  • 申请日期:
    2016-03-21
  • 申请人:
    京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
著录项信息
专利名称PIN光电二极管、X射线探测像元、装置及其探测方法
申请号CN201610162640.1申请日期2016-03-21
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-07-27公开/公告号CN105810765A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/0352IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;0;3;5;2;;;H;0;1;L;3;1;/;1;1;5查看分类表>
申请人京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司申请人地址
北京市朝阳区酒仙桥路10号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人京东方科技集团股份有限公司,成都京东方光电科技有限公司当前权利人京东方科技集团股份有限公司,成都京东方光电科技有限公司
发明人何小祥;祁小敬
代理机构北京同达信恒知识产权代理有限公司代理人黄志华
摘要
本发明公开了一种PIN光电二极管、X射线探测像元、装置及其探测方法,该PIN光电二极管包括:本征层、第一掺杂层和第二掺杂层;还包括:第三掺杂层;本征层位于第一掺杂层和第二掺杂层之间,第三掺杂层位于第二掺杂层之上。具体地,本发明实施例提供的PIN光电二极管,通过在第二掺杂层之上覆盖一层第三掺杂层,这样可以防止第二掺杂层被周期性破坏,从而防止第二掺杂层表面出现缺陷,有利改善了PIN光电二极管由于掺杂层表面存在表面缺陷而导致的缺陷暗电流,同时将该PIN光电二极管应用于X射线探测器,可以提高图像质量。

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