半导体结构及其形成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201610134354.4
IPC分类号：H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/423
申请日期：
2016-03-09
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

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著录项信息

专利名称	半导体结构及其形成方法
申请号	CN201610134354.4	申请日期	2016-03-09
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2017-09-19	公开/公告号	CN107180760A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/336 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/334 制造单极型器件的台阶式工艺〔5〕 H01L21/335 场效应晶体管〔5〕 H01L21/336 带有绝缘栅的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
发明人	张城龙;何其暘
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	高静;吴敏

摘要

一种半导体结构及其形成方法，所述方法包括：形成半导体基底，包括衬底和凸出于衬底的鳍部；在鳍部表面形成栅极结构；形成保形覆盖半导体基底表面的保护层，所述保护层还覆盖栅极结构的侧壁；在保护层表面形成介质层，所述介质层与栅极结构齐平；形成贯穿介质层和保护层并暴露出鳍部表面的接触孔，形成接触孔的过程中，介质层的去除速率大于保护层的去除速率；在接触孔中形成接触孔插塞。本发明通过在栅极结构的侧壁表面形成保护层，形成接触孔的过程中，介质层的去除速率大于保护层的去除速率，可以避免形成接触孔的工艺损耗过多的保护层，从而避免使所述接触孔尺寸增大甚至暴露出所述栅极结构的问题，进而避免接触孔插塞与栅极结构发生短路。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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