选择性半球形硅晶粒制作工艺

1.一种选择性半球形硅晶粒的制作方法，适用于一基底，该基底上形成有一多晶硅电容器下电极，且该多晶硅电容器下电极上形成有一原生氧化层，该制作方法包括下列步骤：以一卤化物为反应气体对该基底进行一等离子反应，使得该原生氧化层反应生成一卤化硅，并于一低压之下将该卤化硅除去；以及在该多晶硅电容器下电极上选择性形成半球形硅晶粒。
2.如权利要求1所述的选择性半球形硅晶粒的制作方法，其中该等离子反应为一远端等离子反应，该远端等离子反应的一等离子产生室与选择性形成半球形硅晶粒时所使用的一反应室相连，使得该基底得以在该反应室中进行该等离子反应。
3.如权利要求1所述的选择性半球形硅晶粒的制作方法，其中该卤化物的流速界于10sccm至200sccm之间。
4.如权利要求1所述的选择性半球形硅晶粒的制作方法，其中该等离子反应的温度界于100℃至500℃之间。
5.如权利要求1所述的选择性半球形硅晶粒的制作方法，其中进行该等离子反应所使用的RF频率为13.56MHz。
6.如权利要求1所述的选择性半球形硅晶粒的制作方法，其中进行该等离子反应所使用的RF功率界于10W至300W之间。
7.如权利要求1所述的选择性半球形硅晶粒的制作方法，其中该低压界于10mTorr至500mTorr之间。
8.如权利要求1所述的选择性半球形硅晶粒的制作方法，其中该等离子反应进行的时间界于5秒至60秒之间。
9.如权利要求1所述的选择性半球形硅晶粒的制作方法，其中该卤化物包括一氟化物。
10.如权利要求9所述的选择性半球形硅晶粒的制作方法，其中该氟化物包括NF3。
11.如权利要求1所述的选择性半球形硅晶粒的制作方法，其中该卤化物包括一氯化物。
12.如权利要求11所述的选择性半球形硅晶粒的制作方法，其中该氯化物包括HCl。
13.如权利要求1所述的选择性半球形硅晶粒的制作方法，其中该多晶硅电容器下电极包括一块状电容器下电极。
14.如权利要求1所述的选择性半球形硅晶粒的制作方法，其中该多晶硅电容器下电极包括一冠状电容器下电极。

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