一种具有阶梯式密封结构的微波等离子体腔体

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202222401375.1
IPC分类号：C30B25/00;C30B29/04
申请日期：
2022-09-09
申请人：
四川本钻科技有限公司

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专利名称	一种具有阶梯式密封结构的微波等离子体腔体
申请号	CN202222401375.1	申请日期	2022-09-09
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B25/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B25/00 反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;5;/;0;0;;;C;3;0;B;2;9;/;0;4查看分类表>
申请人	四川本钻科技有限公司	申请人地址	四川省宜宾市临港经开区长江北路西段附二段315号中国西南轻工博览城29幢1层115号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	四川本钻科技有限公司	当前权利人	四川本钻科技有限公司
发明人	李庆利;甄西合;赵丽媛;徐超;朱逢旭;刘得顺
代理机构	成都聚蓉众享专利代理有限公司	代理人	孔静

摘要

本实用新型提供了一种具有阶梯式密封结构的微波等离子体腔体，包括生长腔以及与生长腔相连通的连接腔；生长腔内部设置有水冷台，水冷台上设置有基片台，基片台的顶部设置有等离子体，等离子体位于生长腔内部；连接腔远离生长腔的一侧设置有炉门，炉门和连接腔中的一个设置有台阶状突出部，另一个设置有与台阶状突出部相配合的台阶槽，连接腔上设置有密封圈。本实用新型通过改变炉门密封面的形式，在密封部位增加阶梯式密封槽，当炉体抽真空时，在密封圈与密封圈之间形成多个封闭空间，封闭空间的气压与炉体外部大气压相等，可以有效的减少炉体的漏气，提高炉体的密封性能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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