半导体结构及电子装置

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201922100237.8
IPC分类号：H01L23/552;H01L23/29;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/316
申请日期：
2019-11-29
申请人：
长鑫存储技术有限公司

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著录项信息

专利名称	半导体结构及电子装置
申请号	CN201922100237.8	申请日期	2019-11-29
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/552 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/552 防辐射保护装置，例如光〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;5;2;;;H;0;1;L;2;3;/;2;9;;;H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;1;/;5;0;;;H;0;1;L;2;1;/;5;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;6查看分类表>
申请人	长鑫存储技术有限公司	申请人地址	安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	长鑫存储技术有限公司	当前权利人	长鑫存储技术有限公司
发明人	庄凌艺
代理机构	北京律智知识产权代理有限公司	代理人	阚梓瑄;孙宝海

摘要

本公开提出一种半导体结构及电子装置。半导体结构包括芯片以及绝缘层。芯片具有相对设置的第一表面和第二表面以及侧面，第一表面为芯片的功能面，第二表面呈非平面状结构，以使第二表面的表面积大于第一表面的表面积。绝缘层形成并包覆于芯片的第二表面和侧面。通过上述设计，本公开使得芯片第二表面的表面积增大，从而增大芯片的散热面积，进而进一步优化芯片和整个半导体结构的散热效果。本公开还能利用绝缘层增强芯片与其他层叠结构之间的粘结牢固程度，进而提升半导体结构的结构强度。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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