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曝光方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202210826955.7
  • IPC分类号:G03F7/16;G03F7/20
  • 申请日期:
    2022-07-14
  • 申请人:
    广州粤芯半导体技术有限公司
著录项信息
专利名称曝光方法
申请号CN202210826955.7申请日期2022-07-14
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2022-09-13公开/公告号CN115047716A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G03F7/16IPC分类号G;0;3;F;7;/;1;6;;;G;0;3;F;7;/;2;0查看分类表>
申请人广州粤芯半导体技术有限公司申请人地址
广东省广州市黄埔区中新知识城凤凰五路28号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人广州粤芯半导体技术有限公司当前权利人广州粤芯半导体技术有限公司
发明人刘志成
代理机构上海思捷知识产权代理有限公司代理人罗磊
摘要
本发明提供了一种曝光方法,包括在衬底上形成第一光刻胶层,第一光刻胶层包含第一比例的光致酸产生剂;在第一光刻胶层上形成第二光刻胶层,第二光刻胶层包含第二比例的光致酸产生剂;在第二光刻胶层上形成第三光刻胶层,第三光刻胶层包含第三比例的光致酸产生剂,第一比例和第三比例的值均大于第二比例的值;以掩模板为掩膜,使用光源产生的光一次性曝光第三光刻胶层、第二光刻胶层和第一光刻胶层,形成位于第三光刻胶层、第二光刻胶层和第一光刻胶层内的沟槽,沟槽的深宽比大于10。可以降低第二光刻胶层与光的反应,加快第一光刻胶层和第三光刻胶层与光的反应,从而平均三个光刻胶层与光的反应,使得最后形成的沟槽的侧壁是笔直的。

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