一种GAN基电子器件及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201610497035.X
IPC分类号：H01L23/367;H01L23/12;H01L23/15
申请日期：
2016-06-29
申请人：
江西省昌大光电科技有限公司

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专利名称	一种GAN基电子器件及其制备方法
申请号	CN201610497035.X	申请日期	2016-06-29
法律状态	驳回	申报国家	暂无
公开/公告日	2018-01-05	公开/公告号	CN107546198A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/367 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/34 冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置〔2，5〕 H01L23/36 为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器〔2〕 H01L23/367 为便于冷却的器件造型〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;3;6;7;;;H;0;1;L;2;3;/;1;2;;;H;0;1;L;2;3;/;1;5查看分类表>
申请人	江西省昌大光电科技有限公司	申请人地址	江西省南昌市高新区艾溪北路699号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	江西省昌大光电科技有限公司	当前权利人	江西省昌大光电科技有限公司
发明人	陈振
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种GAN基电子器件及其制备方法，其中，该GAN基电子器件中包括衬底层，和依次设置在衬底上的缓冲层、模板层、沟道层、势垒层、栅漏源金属层、邦定层以及共晶陶瓷基板。其在现有芯片结构的基础上通过散热性好的金属直接与共晶陶瓷基板连接，由于器件有源区主要靠近上表面，芯片上表面和散热系数高的共晶陶瓷基板直接相连使得芯片工作时产生的热量可以被快速传递，使得器件的散热性更好，有效解决了器件在高温下工作导致工作效率下降、失效等问题，从而大大提高器件的工作效率、稳定性、可靠性以及寿命。

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