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等离子体刻蚀装置的腔体清洗方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410127005.0
  • IPC分类号:B08B9/08
  • 申请日期:
    2014-03-31
  • 申请人:
    上海华力微电子有限公司
著录项信息
专利名称等离子体刻蚀装置的腔体清洗方法
申请号CN201410127005.0申请日期2014-03-31
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2014-08-06公开/公告号CN103962353A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号B08B9/08IPC分类号B;0;8;B;9;/;0;8查看分类表>
申请人上海华力微电子有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华力微电子有限公司当前权利人上海华力微电子有限公司
发明人许进;段智公;任昱;吕煜坤
代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)代理人吴世华;陈慧弘
摘要
本发明公开了一种等离子体刻蚀装置的腔体清洗方法,所述等离子体刻蚀装置包括反应腔体、进气单元和抽气单元。所述腔体清洗方法包括:通入第一工艺气体冲洗所述进气单元,使所述进气单元内壁至少部分的反应副产物剥落;通入第二工艺气体并形成所述第二工艺气体的等离子体,与所述剥落的反应副产物及所述反应腔体内壁的反应副产物反应以清洗所述反应腔体的内壁;以及增加所述第二工艺气体的压力,使所述第二工艺气体的等离子体与所述进气单元内未剥落的所述反应副产物反应以清洗所述进气单元的内壁。本发明能够有效减小进气单元残留物沉积掉落造成晶圆中心团聚缺陷的风险。

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