三轴磁传感器

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201220174616.7
IPC分类号：G01R33/02
申请日期：
2012-04-23
申请人：
美新半导体（无锡）有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	三轴磁传感器
申请号	CN201220174616.7	申请日期	2012-04-23
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01R33/02 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01R 测量电变量；测量磁变量（指示谐振电路的正确调谐入H03J 3/12） G01R33/00 测量磁变量的装置或仪器 G01R33/02 测量磁场或磁通量的方向或大小（G01R 33/20优先）〔4〕	IPC分类号	G;0;1;R;3;3;/;0;2查看分类表>
申请人	美新半导体（无锡）有限公司	申请人地址	江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新辉环路2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	美新半导体（无锡）有限公司	当前权利人	美新半导体（无锡）有限公司
发明人	蒋乐跃;刘海东;蔡永耀;赵阳;张俊德
代理机构	无锡互维知识产权代理有限公司	代理人	王爱伟

摘要

本实用新型涉及一种三轴磁传感器，其包括有衬底层。其中衬底层沿X和Y轴方向上分别设置有第一、第二斜坡，第一、第二斜坡上沿斜坡倾斜的方向上分别设置有第一、第二传感器单元。第一传感器单元和第二传感器单元分别感应水平方向以及竖直方向上的磁信号并输出探测值，从而完成对X、Y及Z轴三个方向上的磁信号的探测。本实用新型涉及的三轴磁传感器结构简单，成本较低。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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