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半导体结构及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201911349140.9
  • IPC分类号:H01L27/146
  • 申请日期:
    2019-12-24
  • 申请人:
    湖北三维半导体集成制造创新中心有限责任公司
著录项信息
专利名称半导体结构及其制备方法
申请号CN201911349140.9申请日期2019-12-24
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2020-04-17公开/公告号CN111029357A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/146IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;4;6查看分类表>
申请人湖北三维半导体集成制造创新中心有限责任公司申请人地址
湖北省武汉市东湖新技术开发区高新四路18号新芯生产线厂房及配套设施2幢OS6号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人湖北三维半导体集成制造创新中心有限责任公司当前权利人湖北三维半导体集成制造创新中心有限责任公司
发明人胡杏;占迪;刘天建
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人曹廷廷
摘要
本发明提供了一种半导体结构,包括第一衬底、第二衬底及若干栅极结构,所述第二衬底中包括若干像素单元,所述像素单元与所述栅极结构的位置对应;所述第二衬底中具有若干用于隔离相邻的所述像素单元的第一沟槽隔离结构,所述像素单元中具有若干定义出感光区和读取区的第二沟槽隔离结构。本发明中的半导体结构的第二衬底的表面为感光面,采用了背照式采光,栅极结构和金属线都不在感光面,可以避免对光线的遮挡,提升成像效果;并且定义出感光区和读取区的第二沟槽隔离结构可以贯穿整个第二衬底,从而提高对感光区和读取区的隔离效果,防止感光区和读取区相互干扰;进一步,本发明还提供了所述半导体结构的制备方法。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供