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新型碳化硅MOSFET

实用新型专利无效专利
  • 申请号:
    CN201120104328.X
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L29/06
  • 申请日期:
    2011-04-12
  • 申请人:
    盛况
著录项信息
专利名称新型碳化硅MOSFET
申请号CN201120104328.X申请日期2011-04-12
法律状态权利终止申报国家暂无
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人盛况申请人地址
浙江省杭州市西湖区浙大路38号浙江大学电气工程学院 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人盛况当前权利人盛况
发明人盛况;郭清;蔡超峰;崔京京;周伟成
代理机构贵阳中新专利商标事务所代理人吴无惧
摘要
本实用新型涉及一种半导体器件,公开了一种应用于高压条件下的电气设备如交流电机、变频器、开关电源、牵引传动等场合的新型碳化硅MOSFET。它包括相互电连接的漏极、源极和栅极,所述漏极和源极之间设有缓冲区、漂移区、P阱区和源区;所述漂移区与栅极之间设有P掺杂区和栅极绝缘层。本实用新型在普通MOSFET结构基础上,在栅极下的衬底表面增加浓度不高的掺杂区,使得在器件承受高压时,栅极绝缘层中的电场减弱,从而降低绝缘层击穿的几率,提高碳化硅MOSFET的整体耐压值。

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