利用电子凸轮控制的气相沉积方法及装置

发明专利有效专利

申请号：
CN202110358752.5
IPC分类号：C23C16/52;C23C14/54;C23C16/458;C23C14/50
申请日期：
2021-04-02
申请人：
上海陛通半导体能源科技股份有限公司

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著录项信息

专利名称	利用电子凸轮控制的气相沉积方法及装置
申请号	CN202110358752.5	申请日期	2021-04-02
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2021-04-30	公开/公告号	CN112725769A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C16/52 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C16/00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积（CVD）工艺（反应溅射或真空蒸发入C23C 14/00）〔4〕 C23C16/44 以镀覆方法为特征的（C23C 16/04优先）〔4〕 C23C16/52 镀覆工艺的控制或调整〔4，2006.01〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;6;/;5;2;;;C;2;3;C;1;4;/;5;4;;;C;2;3;C;1;6;/;4;5;8;;;C;2;3;C;1;4;/;5;0查看分类表>
申请人	上海陛通半导体能源科技股份有限公司	申请人地址	上海市浦东新区庆达路315号13幢3F 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海陛通半导体能源科技股份有限公司	当前权利人	上海陛通半导体能源科技股份有限公司
发明人	崔海红;宋维聪
代理机构	上海光华专利事务所（普通合伙）	代理人	余明伟

摘要

本发明提供一种利用电子凸轮控制的气相沉积方法及装置。沉积方法包括步骤：在晶圆变速旋转的情况下进行气相沉积以于晶圆表面形成薄膜；收集整理气相沉积过程中的相关数据，并进行表征分析得到原始薄膜均匀性数据分布曲线和原始晶圆旋转速度曲线；以提高薄膜均匀性为目的设计目标薄膜均匀性数据分布曲线，根据目标晶圆旋转速度值与原始薄膜均匀性特征参数相对应的变化趋势关系，得到控制晶圆变速旋转的电子凸轮；以得到的电子凸轮控制驱动装置带动晶圆变速旋转以进行气相沉积。本发明基于得到的电子凸轮控制驱动装置以调整晶圆的转速，以在沉积快的区域加快晶圆旋转速度而在沉积慢的区域减缓旋转速度，由此可进一步提高薄膜沉积均匀性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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