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一种闪存单元形成方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201010593211.2
  • IPC分类号:H01L21/336;H01L21/28;H01L21/285
  • 申请日期:
    2010-12-16
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
著录项信息
专利名称一种闪存单元形成方法
申请号CN201010593211.2申请日期2010-12-16
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2012-07-11公开/公告号CN102569078A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/336IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;5查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请人地址
北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(北京)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
发明人沈亿华;宋化龙;李亮;史运泽;涂火金
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人骆苏华
摘要
一种闪存单元形成方法,包括:提供衬底,所述衬底表面依次形成有衬垫氧化层和刻蚀停止层,所述衬底内包含至少两个有源区,相邻有源区之间以浅沟槽隔离结构隔开;依次去除所述衬底表面的刻蚀停止层和衬垫氧化层;采用化学气相沉积法在衬底表面形成隧穿氧化层;对所述隧穿氧化层进行后期氧化退火处理。本发明所提供的闪存单元形成方法避免了双峰效应和反窄沟道效应,并且闪存单元的周期耐久性比较好。

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