包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110135995.2
IPC分类号：H01L27/1157;H01L27/11565
申请日期：
2021-02-01
申请人：
美光科技公司

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著录项信息

专利名称	包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法
申请号	CN202110135995.2	申请日期	2021-02-01
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-08-13	公开/公告号	CN113257830A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/1157 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/10 在重复结构中包括有多个独立组件的〔2〕 H01L27/105 包含场效应组件的〔5〕 H01L27/112 只读存储器结构的〔5〕 H01L27/115 电动编程只读存储器；其多步骤制造方法〔5，2006.01，2017.01〕 H01L27/11563 具有电荷俘获栅极绝缘层的，例如，MNOS，NROM〔2017.01〕 H01L27/11568 以存储器核心区为特征的（三维布置H01L 27/11578）〔2017.01〕 H01L27/1157 具有单元选择晶体管的，例如，NAND〔2017.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;7;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;6;5查看分类表>
申请人	美光科技公司	申请人地址	美国爱达荷州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	美光科技公司	当前权利人	美光科技公司
发明人	C·豪德;C·E·卡特
代理机构	北京律盟知识产权代理有限责任公司	代理人	王龙

摘要

本申请案涉及包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法包括：在衬底上方形成包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠。在所述堆叠中形成水平拉长的沟槽以形成横向间隔开的存储器块区。在所述沟槽中的个别沟槽的底部区中形成催化材料。将金属材料无电沉积到所述催化材料的催化表面上以个别地填充所述个别沟槽的至少大部分剩余体积。沟道材料串形成且延伸穿过所述第一层和所述第二层。公开了包含独立于方法的结构的其它实施例。

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