半导体装置

发明专利无效专利

申请号：
CN200910133551.4
IPC分类号：H01L23/525;H01L23/34;H01L23/528
申请日期：
2009-04-14
申请人：
恩益禧电子股份有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	半导体装置
申请号	CN200910133551.4	申请日期	2009-04-14
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2009-10-21	公开/公告号	CN101562172
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/525 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/52 用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置〔2〕 H01L23/522 包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的〔5〕 H01L23/525 具有可适用互连装置的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;2;5;;;H;0;1;L;2;3;/;3;4;;;H;0;1;L;2;3;/;5;2;8查看分类表>
申请人	恩益禧电子股份有限公司	申请人地址	日本神奈川变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	瑞萨电子株式会社	当前权利人	瑞萨电子株式会社
发明人	高冈洋道;窪田吉孝;津田浩嗣
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司	代理人	孙志湧;穆德骏

摘要

一种半导体装置(200)，包括：电熔丝(100)，包括：下层互连(120)，形成在基板上；通孔(130)，提供在下层互连(120)上，以便连接到下层互连(120)；以及上层互连(110)，提供在通孔(130)上，以便连接到通孔(130)，通过形成流出部，电熔丝被切断，在切断之后的状态中，流出部在形成上层互连(110)的电导体流到上层互连(110)的外部时形成；以及防护上层互连(152)(导电吸热构件)，形成在至少与上层互连(110)相同的层中，用于吸收在上层互连(110)中产生的热。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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