半导体器件及其形成方法发明专利
申请号：CN201710448950.4
LOC分类号:H01L21/8238
IPC结构图谱：
- H电学
- H9电学
- H02发电、变电或配电
- H02B供电或配电用的配电盘、变电站或开关装置（电基本元件，它们的组件，包括在外壳里或基件上的安装架，或在其上盖的安装架见这些元件的小类，例如变压器入H01F，开关、熔断器入H01H，线路连接器入H01R；供电或配电电线电缆的安装，或光电组合电缆或电线的安装，或其他供电或配电导体的安装入H02G）
- H02B1/00框架、盘、板、台、机壳；变电站或开关装置的零部件〔5〕
- H02B1/26外壳；它们的部件或相应的配件（适用于单个开关的入H01H；电缆、电线或母线的外壳入H02G；配电箱、接线盒或分线盒入H02G 3/08；一般外壳入H05K）〔5〕
- H02B1/28防尘、防溅、防滴、防水或防火〔5〕
