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具有多晶硅掺杂区域的背面接触太阳能电池结构

实用新型专利无效专利
  • 申请号:
    CN200990100312.2
  • IPC分类号:H01L31/04
  • 申请日期:
    2009-04-29
  • 申请人:
    太阳能公司
著录项信息
专利名称具有多晶硅掺杂区域的背面接触太阳能电池结构
申请号CN200990100312.2申请日期2009-04-29
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/04IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;0;4查看分类表>
申请人太阳能公司申请人地址
美国加利福尼亚州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人太阳能公司当前权利人太阳能公司
发明人丹尼斯·德塞斯特;彼得·约翰·卡曾斯;戴维·D·史密斯
代理机构北京天昊联合知识产权代理有限公司代理人陈源;张天舒
摘要
一种太阳能电池结构,其特征在于包括:硅衬底,其具有在正常工作期间面向太阳的正面和与正面相对的背面;包括多晶硅的P型掺杂区域和N型掺杂区域,其中P型掺杂区域和N型掺杂区域在一个位置上物理分开,而在另一个位置上相互接触以形成对接结;第一电介质层,其处于衬底上以及P型掺杂区域和N型掺杂区域中的每一个的下面;第二电介质层,在P型掺杂区域和N掺杂区域上形成。

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