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一种减小写操作电流的相变存储器单元的制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200510028245.6
IPC分类号：H01L45/00;H01L21/00
申请日期：
2005-07-28
申请人：
复旦大学;硅存储技术公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种减小写操作电流的相变存储器单元的制备方法
申请号	CN200510028245.6	申请日期	2005-07-28
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2006-05-17	公开/公告号	CN1773743
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L45/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L45/00 无电位跃变势垒或表面势垒的，专门适用于整流、放大、振荡或切换的固态器件，例如介电三极管；奥氏效应器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；应用超导电性或高导性的器件入H01L 39/00；压电器件入H01L 41/00；体负阻效应器件入H01L 47/00）〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;4;5;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;0;0查看分类表>
申请人	复旦大学;硅存储技术公司	申请人地址	上海市邯郸路220号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	复旦大学,硅存储技术公司	当前权利人	复旦大学,硅存储技术公司
发明人	吕杭炳;林殷茵;汤庭鳌;陈邦明
代理机构	上海正旦专利代理有限公司	代理人	陆飞;盛志范

摘要

本发明属于微电子技术领域，具体为一种能够减小写操作电流的相变存储器的制备方法。它通过控制相变材料自身厚度来减小电极面积，同时实现热限制和电限制，提高热量的利用率和增大电流密度。利用本发明制备的器件具有低功耗、高速度、小操作电流等特点，极大的提高了器件性能。

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