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相变化存储器及其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200610154300.0
  • IPC分类号:H01L45/00;H01L27/24
  • 申请日期:
    2006-09-20
  • 申请人:
    财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司
著录项信息
专利名称相变化存储器及其制造方法
申请号CN200610154300.0申请日期2006-09-20
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2008-03-26公开/公告号CN101150172
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L45/00IPC分类号H;0;1;L;4;5;/;0;0;;;H;0;1;L;2;7;/;2;4查看分类表>
申请人财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司申请人地址
台湾新竹县 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人财团法人工业技术研究院,南亚科技股份有限公司,茂德科技股份有限公司,华邦电子股份有限公司当前权利人财团法人工业技术研究院,南亚科技股份有限公司,茂德科技股份有限公司,华邦电子股份有限公司
发明人许宏辉
代理机构北京市柳沈律师事务所代理人陶凤波
摘要
一种相变化存储器及其制造方法。该相变化存储器包括:基底;具有第一开口的第一介电层形成在该基底之上;第一电极形成在该第一开口内并填满该第一开口;柱状第二介电层直接形成在该第一电极之上;第一导电层形成在该柱状第二介电层的侧壁上,并与该第一电极电连接;第三介电层完全覆盖该第一电极及包覆该第一导电层的侧壁,并露出该第一导电层的上表面;相变层形成在该第三介电层之上并与该第一导电层之的表面直接接触;第四介电层形成在该第三介电层和该相变层之上,其中该第四介电层具有第二开口露出该相变层的上表面;第二导电层形成在该第二开口内并填满该第二开口,并与该相变层电连接;并且第二电极与该第二导电层电连接。

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