一种自对准形成上电极的WOX电阻存储器及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200710045938.5
IPC分类号：H01L27/24;H01L45/00;H01L21/82
申请日期：
2007-09-13
申请人：
复旦大学

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种自对准形成上电极的WOX电阻存储器及其制造方法
申请号	CN200710045938.5	申请日期	2007-09-13
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2008-04-09	公开/公告号	CN101159284
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/24 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/24 包括无电位跃变势垒或表面势垒的用于整流、放大，或切换的固态组件的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;2;4;;;H;0;1;L;4;5;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2查看分类表>
申请人	复旦大学	申请人地址	上海市邯郸路220号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	复旦大学	当前权利人	复旦大学
发明人	林殷茵;吕杭炳;唐立;尹明;宋雅丽;陈邦明
代理机构	上海正旦专利代理有限公司	代理人	陆飞;盛志范

摘要

本发明属微电子技术领域，具体提供了一种以自对准形成上电极的WOx电阻存储器及制造方法。所述的存储器包括：下电极为铝互连工艺中层间钨栓塞，在钨栓塞上方形成的牺牲介质层和在牺牲介质层中形成的孔洞，位于孔洞中的钨栓塞氧化形成的WOx存储介质，以自对准方式形成金属上电极于所述的WOx存储介质之上和所述的牺牲介质层孔洞之中。在制作所述的电阻存储器时，以自对准形成的金属上电极层，无需为制作上电极图形增加掩膜和光刻步骤，减少工艺复杂度，可提高存储性能的可靠性和降低工艺成本。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供