BaGa2SiS6化合物、BaGa2SiS6非线性光学晶体及制法和用途

发明专利有效专利

申请号：
CN201110319535.1
IPC分类号：C30B29/46;C30B1/10;C30B11/00
申请日期：
2011-10-20
申请人：
中国科学院理化技术研究所

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专利名称	BaGa2SiS6化合物、BaGa2SiS6非线性光学晶体及制法和用途
申请号	CN201110319535.1	申请日期	2011-10-20
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-04-24	公开/公告号	CN103060917A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/46 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/46 含硫、硒或碲的化合物〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;4;6;;;C;3;0;B;1;/;1;0;;;C;3;0;B;1;1;/;0;0查看分类表>
申请人	中国科学院理化技术研究所	申请人地址	北京市海淀区中关村北一条2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院理化技术研究所	当前权利人	中国科学院理化技术研究所
发明人	姚吉勇;尹文龙;冯凯;梅大江;傅佩珍;吴以成
代理机构	北京法思腾知识产权代理有限公司	代理人	高宇;杨小蓉

摘要

本发明涉及BaGa2SiS6化合物、BaGa2SiS6非线性光学晶体及制法和用途；该BaGa2SiS6化合物采用固相反应制备；BaGa2SiS6非线性光学晶体采用高温熔体自发结晶法或坩埚下降法生长；在该BaGa2SiS6非线性光学晶体的生长中晶体易长大且透明无包裹，具有生长速度较快，成本低，容易获得较大尺寸晶体等优点；所得BaGa2SiS6非线性光学晶体具有比较宽的透光波段，硬度较大，机械性能好，不易碎裂和潮解，易于加工和保存等优点；该BaGa2SiS6非线性光学晶体可用于制作非线性光学器件。

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