半导体器件及其形成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202011191758.X
IPC分类号：H01L21/28;H01L21/3215;H01L21/336;H01L29/49;H01L29/78
申请日期：
2020-10-30
申请人：
上海华力微电子有限公司

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著录项信息

专利名称	半导体器件及其形成方法
申请号	CN202011191758.X	申请日期	2020-10-30
法律状态	实质审查	申报国家	暂无
公开/公告日	2020-12-29	公开/公告号	CN112151367A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/28 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/28 用H01L 21/20至H01L 21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;1;5;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;4;9;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8查看分类表>
申请人	上海华力微电子有限公司	申请人地址	上海市浦东新区良腾路6号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华力微电子有限公司	当前权利人	上海华力微电子有限公司
发明人	李高原;顾林;何亮亮
代理机构	上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	曹廷廷

摘要

本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。在本发明提供了一种新的半导体器件的形成方法中，通过将现有技术中的形成高K金属栅CMOS器件中的单晶硅栅极层替换为非晶硅栅极层，并通过对非晶硅栅极层进行退火处理，从而使非晶硅栅极中的非晶硅再结晶形成多晶硅栅极。由于CMOS器件中栅极堆叠层的有效电阻与晶硅栅中的掺杂离子浓度的均匀性，以及掺杂离子的渗透程度有关，因此，可以通过将非晶硅进行退火处理，从而得到对掺杂离子具有高渗透力的多晶硅，在该多晶硅中掺杂P型或N型离子后能够获得相对更加均匀的掺杂浓度，由此提高最终的CMOS器件中栅极结构的多晶硅栅极层中的掺杂离子浓度的均匀度，以及掺杂离子的渗透程度，进而减小栅极电阻。

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