形成自对准图案的非光刻方法，生产的制品和使用的组合物

发明专利有效专利

申请号：
CN03152546.6
IPC分类号：H01L21/027;H01L21/312;G03F7/004
申请日期：
2003-08-01
申请人：
国际商业机器公司

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专利名称	形成自对准图案的非光刻方法，生产的制品和使用的组合物
申请号	CN03152546.6	申请日期	2003-08-01
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2004-05-26	公开/公告号	CN1499573
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/027 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/027 未在H01L 21/18或H01L 21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;7;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;2;;;G;0;3;F;7;/;0;0;4查看分类表>
申请人	国际商业机器公司	申请人地址	美国纽约变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	格芯公司,格芯美国第二有限责任公司	当前权利人	格芯公司,格芯美国第二有限责任公司
发明人	M·E·卡尔伯恩;S·M·盖茨;J·C·赫德里克;E·黄;S·V·尼塔;S·波卢索萨曼;M·桑卡拉潘迪恩
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	刘明海

摘要

一种在衬底现有图案上形成自对准图案的方法，该方法包括在衬底上涂敷该掩模材料的涂料；和允许至少一部分掩模材料优先连接到一部分现有图案上。图案由衬底的第一组区域和衬底的第二组区域组成，衬底的第一组区域具有第一原子组成和衬底的第二组区域具有不同于第一组成的第二原子组成。第一组区域可包括一种或多种金属元素和第二组区域可包括电介质。掩模材料可包括一种聚合物，聚合物包含选择性结合到一部分图案上的反应性接枝位置。掩模材料可包括结合到一部分图案上的聚合物，以提供适于聚合引发的官能团层，含有适于聚合增长的官能团的反应性分子，或反应性分子，其中反应性分子与一部分图案的反应产生含有反应性基团的层，它参与逐步增长聚合。根据该方法的结构。用于实施该方法的组合物。

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