互连结构及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110184546.7
IPC分类号：H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768
申请日期：
2021-02-10
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

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著录项信息

专利名称	互连结构及其制造方法
申请号	CN202110184546.7	申请日期	2021-02-10
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-08-20	公开/公告号	CN113284876A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/528 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/52 用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置〔2〕 H01L23/522 包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的〔5〕 H01L23/528 互连结构的布置〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;2;8;;;H;0;1;L;2;3;/;5;3;2;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	李回;黄柏翔;黄文社;王仁宏;宋述仁;纪志坚;李佩璇
代理机构	北京德恒律治知识产权代理有限公司	代理人	章社杲;李伟

摘要

本文公开了沿接触蚀刻停止层(CESL)和互连件之间的界面表现出减少的铜空位累积的互连结构以及制造方法。方法包括：在介电层中形成铜互连件；以及在铜互连件和介电层上方沉积金属氮化物CESL。金属氮化物CESL和铜互连件之间的界面具有第一表面氮浓度、第一氮浓度和/或第一数量的氮‑氮结合。实施氮等离子体处理以修改金属氮化物CESL和铜互连件之间的界面。氮等离子体处理将第一表面氮浓度增大至第二表面氮浓度，将第一氮浓度增大至第二氮浓度和/或将第一数量的氮‑氮结合增大至第二数量的氮‑氮结合，它们的每个可以最小化界面处铜空位的累积。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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