一种改善激光修调多晶硅电阻精度的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202011376100.6
IPC分类号：H01L21/62;H01L49/02;H01L23/64
申请日期：
2020-12-05
申请人：
西安翔腾微电子科技有限公司

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专利名称	一种改善激光修调多晶硅电阻精度的方法
申请号	CN202011376100.6	申请日期	2020-12-05
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-04-20	公开/公告号	CN112687558A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/62 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/62 无跃变势垒或表面势垒的器件〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;2;;;H;0;1;L;4;9;/;0;2;;;H;0;1;L;2;3;/;6;4查看分类表>
申请人	西安翔腾微电子科技有限公司	申请人地址	陕西省西安市高新一路25号创新大厦S303室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安翔腾微电子科技有限公司	当前权利人	西安翔腾微电子科技有限公司
发明人	刘若曦;田泽;刘敏侠;陈智;邵刚;郎静
代理机构	西安匠成知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	商宇科

摘要

本发明涉及一种改善激光修调多晶硅电阻精度的方法，本发明包括以下步骤：1)将多晶硅电阻设计成矩形，将金属连线设置在矩形多晶硅电阻两侧；2)使用激光将多晶硅电阻金属连线未连接的多晶硅电阻两侧边缘进行修调；3)在多晶硅电阻上进行粗调；4)在多晶硅电阻上进行细调。本发明对多晶硅电阻两侧边缘进行激光修调，可减小低阻区，改善了粗调和精调的激光修调效果，达到对多晶硅电阻的激光精确修调，降低了流片成本。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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