新型IGBT结构及其制作方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201610345965.3
IPC分类号：H01L29/739;H01L21/331
申请日期：
2016-05-23
申请人：
株洲中车时代电气股份有限公司

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专利名称	新型IGBT结构及其制作方法
申请号	CN201610345965.3	申请日期	2016-05-23
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2017-12-01	公开/公告号	CN107425060A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/739 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/66 按半导体器件的类型区分的〔2〕 H01L29/68 只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L 29/96优先）〔2〕 H01L29/70 双极器件〔2〕 H01L29/72 晶体管型器件，如连续响应于所施加的控制信号的〔2〕 H01L29/739 受场效应控制的〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;7;3;9;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;1查看分类表>
申请人	株洲中车时代电气股份有限公司	申请人地址	湖南省株洲市石峰区时代路169号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株洲中车时代电气股份有限公司	当前权利人	株洲中车时代电气股份有限公司
发明人	刘国友;朱利恒;覃荣震;罗海辉;黄建伟;戴小平
代理机构	北京聿宏知识产权代理有限公司	代理人	张文娟;朱绘

摘要

本发明提供一种新型IGBT结构及其制作方法，其中新型IGBT结构包括：半导体衬底和元胞区；元胞区包括位于半导体衬底表面内的第一基区、第二基区、第一源区、第二源区和位于第一基区与第二基区之间的双台面结构，双台面结构包括位于半导体衬底表面上的第一倒台面和位于半导体衬底表面内的第二倒台面，第一倒台面与第二倒台面被位于部分第一源区与部分第二源区之间且覆盖在半导体衬底表面的氧化层隔开，且第一倒台面与第二倒台面均被氧化层填满。本发明中的这种结构减小了在半导体衬底表面形成的台面的高度，有利于光刻胶、多晶硅等薄膜的覆盖，有利于减小光刻尺寸。

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