加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

一种安培型一氧化氮传感器的制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200810046838.9
  • IPC分类号:G01N27/36;G01N27/407
  • 申请日期:
    2008-01-30
  • 申请人:
    武汉大学
著录项信息
专利名称一种安培型一氧化氮传感器的制备方法
申请号CN200810046838.9申请日期2008-01-30
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2008-07-23公开/公告号CN101226165
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01N27/36IPC分类号G;0;1;N;2;7;/;3;6;;;G;0;1;N;2;7;/;4;0;7查看分类表>
申请人武汉大学申请人地址
湖北省武汉市武昌珞珈山 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人武汉大学当前权利人武汉大学
发明人胡胜水;郑冬云;胡成国
代理机构武汉华旭知识产权事务所代理人刘荣
摘要
本发明公开了一种安培型一氧化氮传感器的制备方法,通过电聚合偶氮染料-水溶性碳纳米管复合膜修饰电极制作出一氧化氮传感器,制备的一氧化氮传感器稳定性好,使用寿命长,线性范围宽,灵敏度高,实现对一氧化氮的检测。本发明所用水溶性碳纳米管制备简单,偶氮染料价格便宜,稳定性和生物相容性好,而且一氧化氮传感器制备工艺简单、条件温和、工艺参数较易控制,这些有利条件极大地促进该一氧化氮传感器的实际开发应用。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供