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具有非对称球型凹进栅极的半导体器件及其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200710005892.4
  • IPC分类号:H01L29/423;H01L29/78;H01L27/04;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/822
  • 申请日期:
    2007-02-28
  • 申请人:
    海力士半导体有限公司
著录项信息
专利名称具有非对称球型凹进栅极的半导体器件及其制造方法
申请号CN200710005892.4申请日期2007-02-28
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2008-04-02公开/公告号CN101154680
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/423IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;7;/;0;4;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;2查看分类表>
申请人海力士半导体有限公司申请人地址
韩国京畿道 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人海力士半导体有限公司当前权利人海力士半导体有限公司
发明人金经都
代理机构北京市柳沈律师事务所代理人陶凤波
摘要
本发明公开了一种半导体器件及其制造方法,该半导体器件包括:硅衬底;形成在所述硅衬底中以划分有源区的器件隔离结构,所述有源区包含一对栅极形成区域、在所述栅极形成区域之间的漏极形成区域和所述栅极形成区域之外的源极形成区域;形成在所述有源区的每个栅极形成区域中的非对称球型凹进栅极,所述非对称球型凹进栅极在其面对所述源极形成区域的侧壁的下端部分上具有球形的形状;以及,分别形成在所述非对称球型凹进栅极两侧的所述衬底表面上的源极区域和漏极区域。

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