具有抗电迁移的高频声表面波器件金属合金薄膜

发明专利有效专利

申请号：
CN200510076884.X
IPC分类号：H03H3/08
申请日期：
2005-06-20
申请人：
清华大学

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	具有抗电迁移的高频声表面波器件金属合金薄膜
申请号	CN200510076884.X	申请日期	2005-06-20
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2005-10-26	公开/公告号	CN1688103
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03H3/08 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03H 阻抗网络，例如谐振电路；谐振器（测量，试验入G01R；产生混响或回声装置入G10K 15/08；由分布阻抗，例如波导型，组成的阻抗网络或谐振器入H01P；放大的控制，例如放大器的带宽控制入H03G；调谐谐振电路，例如调谐耦合谐振电路入H03J；改善通信系统频率特性的网络入H04B） H03H3/00 专用于制造阻抗网络、谐振电路、谐振器的设备或方法 H03H3/007 用于制造机电谐振器或网络〔3〕 H03H3/08 用于制造应用声表面波的网络或谐振器〔3〕	IPC分类号	H;0;3;H;3;/;0;8查看分类表>
申请人	清华大学	申请人地址	北京市－82信箱变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	清华大学	当前权利人	清华大学
发明人	潘峰;李冬梅;曾飞;王旭波
代理机构	北京众合诚成知识产权代理有限公司	代理人	李光松

摘要

本发明公开了属于声表面波器件的制造技术的一种具有抗电迁移的高频声表面波器件金属合金薄膜。其金属合金薄膜是采用物理气相沉积方式沉积在压电基体上的Mo为0.1-2wt%，Co为0.1-2wt%，其余为Al的Al-Co-Mo合金薄膜。用于高功率、高频声表面波器件，具有抗电迁移、提高薄膜在高频声表面波器件中的附着力和功率承受力，同时提高了反应离子刻蚀的精确度。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供