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量子点与载体交联的混合薄膜及制备方法与QLED器件

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201710465120.2
  • IPC分类号:H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;C08J3/24
  • 申请日期:
    2017-06-19
  • 申请人:
    TCL集团股份有限公司
著录项信息
专利名称量子点与载体交联的混合薄膜及制备方法与QLED器件
申请号CN201710465120.2申请日期2017-06-19
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2019-01-04公开/公告号CN109148701A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L51/50IPC分类号H;0;1;L;5;1;/;5;0;;;H;0;1;L;5;1;/;5;4;;;H;0;1;L;5;1;/;5;6;;;C;0;8;J;3;/;2;4查看分类表>
申请人TCL集团股份有限公司申请人地址
广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人TCL集团股份有限公司当前权利人TCL集团股份有限公司
发明人向超宇;钱磊;曹蔚然;杨一行
代理机构深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)代理人王永文;刘文求
摘要
本发明公开量子点与载体交联的混合薄膜及制备方法与QLED器件,方法包括步骤:将量子点与载体混合于溶剂中,得到混合液;通过溶液法将混合液制成含量子点与载体的混合薄膜;通过HHIC技术对含量子点与载体的混合薄膜进行交联处理,使得量子点与载体之间发生交联,得到量子点与载体交联的混合薄膜。本发明利用HHIC技术可使独立的量子点与载体交联在一起,得到量子点与载体交联的混合薄膜。另外,本发明HHIC交联方法不需要交联基团,可以大大减少交联基团对量子点的淬灭,提高量子点的发光效率。此外,由于HHIC交联过程中产生大量的自由基,自由基可以迁移到杂质上,钝化杂质对量子点的淬灭,从而进一步提高量子点的发光效率。

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