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肖特基二极管的两次退火制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201710761830.X
  • IPC分类号:H01L21/329;H01L29/872
  • 申请日期:
    2017-08-30
  • 申请人:
    吉林麦吉柯半导体有限公司
著录项信息
专利名称肖特基二极管的两次退火制造方法
申请号CN201710761830.X申请日期2017-08-30
法律状态实质审查申报国家暂无
公开/公告日2018-01-09公开/公告号CN107564813A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/329IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;2;9;;;H;0;1;L;2;9;/;8;7;2查看分类表>
申请人吉林麦吉柯半导体有限公司申请人地址
吉林省吉林市高新区深圳街99号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人吉林麦吉柯半导体有限公司当前权利人吉林麦吉柯半导体有限公司
发明人刘彦涛;王品东
代理机构长春菁华专利商标代理事务所(普通合伙)代理人陶尊新
摘要
肖特基二极管的两次退火制造方法属于半导体器件制造技术领域。现有技术直接导致肖特基二极管的势垒高度低、最大反向漏电流大。本发明在N+衬底上层外延形成N‑外延层;在N‑外延层上层热氧化形成氧化层;采用光刻工艺先后开设P+离子注入窗口和金属淀积窗口,并完成P+扩散保护环的制作和金属淀积;退火形成势垒层;最后蒸发制作上电极和下电极;其特征在于,所述的金属淀积为NiPt膜淀积,膜厚50±5nm;所述退火的工艺条件包括:退火温度480~530℃,退火时间0.8~1.3h,氮气保护,在NiPt膜与N‑外延层的接触层面生成Ni2Pt2Si/Si势垒层;腐蚀去除NiPt膜未与Si反应的部分;再在相同工艺条件下退火,所述Ni2Pt2Si/Si势垒层转变为NiPtSi/Si势垒层。本发明用于肖特基二极管的制造。

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