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一种LED芯片结构

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201880025547.3
  • IPC分类号:H01L33/00
  • 申请日期:
    2018-06-29
  • 申请人:
    天津三安光电有限公司
著录项信息
专利名称一种LED芯片结构
申请号CN201880025547.3申请日期2018-06-29
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-02-14公开/公告号CN110800116A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人天津三安光电有限公司申请人地址
天津市西青区华苑产业区海泰南道20号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人天津三安光电有限公司当前权利人天津三安光电有限公司
发明人王晶;张昀;吴俊毅
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本案提出了一种LED芯片结构,其包括一载体,载体上的一半导体层序列,一反射层序列配置在载体和半导体层序列之间,反射层序列具有一面向半导体层序列的增透膜层和一远离半导体层序列的金属镜面层,半导体序列包括:第一导电性半导体层、发光层和第二导电性半导体层,其特征在于:半导体序列与增透膜之间的界面至少部分区域为粗化面或图案化面,增透膜层与金属镜面层的界面是光滑面,该光滑面能够有效提高侧面出光率。

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